換言之，閃存實際上是建立在許多硬盤驅動器生產商已經開發(fā)出來的重要組件基礎之上的。因此，根據(jù)能力觀點，我們認為，在將閃存存儲技術推向市場的過程中，硬盤驅動器的生產商可能不會遭遇慘敗。更具體地說，這一觀點預計，那些擁有最豐富的集成電路設計經驗的企業(yè)（如昆騰公司、希捷公司和西部數(shù)據(jù)公司）將按部就班地將閃存產品推向市場，而其他一直將電子元件電路設計業(yè)務外包出去的企業(yè)則可能會面臨更大的挑戰(zhàn)。

到目前為止，情況的確如此。希捷公司通過收購Sundisk公司25%的股權，于1993年進入閃存市場。希捷公司和SunDisk公司合作設計芯片和閃存卡，芯片由三菱公司負責生產，閃存卡由一家叫做安南（Anam）的韓國生產商負責裝配，希捷公司自己負責閃存卡的銷售。昆騰公司則與另一個合作伙伴超捷公司（SiliconStorageTechnology）一起進入閃存市場，超捷公司負責芯片設計，然后由合同商負責芯片的生產和裝配。

組織結構框架

閃存技術就是亨德森和克拉克所說的突破性技術。相對于硬盤驅動器，閃存的產品結構和基本技術理念都很新穎。組織結構框架預計，除非成立了在組織結構上完全獨立的機構來設計閃存產品，否則成熟企業(yè)將遭受重創(chuàng)。希捷和昆騰也的確是依靠獨立機構的力量才開發(fā)出了具有競爭力的產品。

技術S形曲線

技術S形曲線經常被用于預測新興技術是否可能取代成熟技術。引發(fā)走勢變化的是成熟技術曲線的斜率。如果曲線經過了拐點，它的二階導數(shù)為負（技術的改善幅度正在下降），那么新技術可能會出現(xiàn)，并取代成熟技術。圖27表明，磁盤記錄的S形曲線仍然沒有達到它的拐點：截至1995年，磁錄密度不但一直在改善，而且改善的幅度越來越大。

圖27新硬盤驅動器磁錄密度的改善（密度單位：MBPSI）

資料來源：《磁盤/趨勢報告》各期公布的數(shù)據(jù)。因此，我們能夠根據(jù)S形曲線框架來預計成熟硬盤驅動器企業(yè)是否具備設計閃存卡的能力，閃存存儲器在磁存儲器的S形曲線達到拐點、其密度的改善幅度開始下降之前是否能對磁存儲器帶來威脅。